Elektrický proud v polovodičích

Proč je zakázané kopírování? 💾 Stáhnout materiálVIP členstvíNahlásit chybu

fyzika

 

Otázka: Elektrický proud v polovodičích

Předmět: Fyzika

Přidal(a): Michaela H

 

Polovodiče

  • pevná látka, jejíž elektrická vodivost závisí na vnějších nebo vnitřních podmínkách a dá se změnou těchto podmínek snadno ovlivnit.
    • Změna vnějších podmínek – dodání energie tepelné nebo světelné
    • Změna vnitřních podmínek – příměs jiného prvku v polovodiči.
  • Polovodiči jsou:
    • prvky: křemík (Si), germanium (Ge), selen (Se)
    • sloučeniny: arsenid galia (GaAs), sulfid olovnatý (PbS),aj.
  • Většina polovodičů jsou krystalické látky, ale existují i polovodiče amorfní
    • Nositelé elektrického proudu v polovodičích jsou volné elektrony a díry

 

Měrný elektrický odpor polovodičů

  • Polovodiče se od kovů liší především větším měrným elektrickým odporem ρ v intervalu: 10-4 – 10-8 Ω * m
  • Závislost měrného elektrického odporu na teplotě:
    • S rostoucí teplotou roste odpor kovů
    • S rostoucí teplotou klesá odpor polovodičů
  • Rezistivita (též měrný elektrický odpor) je fyzikální veličina charakterizující lokální (diferenciální) vodivostní či odporové vlastnosti látek vedoucích elektrický proud.
  • Rezistivita je materiálová konstanta
  • Rezistivita látek závisí na teplotě. U kovových vodičů s teplotou roste, u polovodičů klesá

 

Termistory

  • Teplotně závislý rezistor, který je zhotovený ze směsi oxidů (např. Fe2O3, TiO2, CuO, NiO, aj.)
  • Termistor je polovodičová součástka, která se používá jako teplotně citlivá součástka
  • Jeho odpor klesá s teplotou, přičemž změna odporu s teplotou je daleko rychlejší než u kovů  ↓R ….. ↓t
  • Využití:
    • Měření teploty
    • Měření teploty na dálku
    • Kompenzace odporu žhavícího vodiče v elektronkách
    • Převodník z teploty na napětí

 

Fotorezistor

  • polovodičová součástka, jejíž odpor závisí na osvětlení
  • Světlo (fotony) dodává energii elektronům ve valenčním pásu, které tak mohou překonat zakázaný pás a stát se volnými.
  • Využití:
    • Měření osvětlení – expozimetr (ve fotografických přístrojích)
    • Ovládání přístrojů – fotobuňka – otvírání dveří, zapínání zařízení…
    • Zabezpečovací zařízení – světelná závora – proti krádeži, bezpečnostní pojistka pro vypínání přístrojů, …
    • Detekce neviditelného infračerveného záření
    • Převodník ze světla na elektrické napětí.

 

Vlastní a příměsové polovodiče

Vlastní polovodiče

  • Vodivost způsobuje generace elektronů a děr (jsou vždy v páru)
  • Využití vlastní vodivosti – termistory a fotorezistory
  • Látky tvořené čistě jedním prvkem (bez příměsí)
  • Při běžných teplotách je třeba dodat pouze málo energie a elektrony se mohou z vazby uvolnit, přerušením vazby vzniknou vždy dva druhy volných částic s nábojem (vždy v párech). Jsou to elektrony a díry (kladný náboj)
  • Díra
    • uvolněný valenční elektron chybí ve vazbě mezi atomy
    • nepředstavuje skutečnou částici s kladným nábojem (jako je proton), ale prázdné místo, na které může přejít jiný elektron

 

Příměsové (nevlastní) polovodiče

  • Volné elektrony, resp. kladné díry lze do polovodiče dostat také pomocí příměsí.
    • Elektronová vodivost (Typu N – negativní)
    • Děrová vodivost (Typu P – pozitivní)
  • Jako příměsi se volí atomy s ox.č. 5 (P,As,Sb)-typu N, nebo s ox.č. 3 (B,In,Ga)-typu P
  • Elektronová vodivost – např. Si s příměsí P
    • P má 5 val. el., jeho elektrony jsou vázány na elektrony Si, pátý el. zůstává slabě vázáný, takže již při poměrně nízké teplotě se z něj stává volný el.
    • to zapříčiňuje, že v Si s příměsí P je nadbytek elektronů, tyto elektrony považujeme za majoritní nosiče náboje a díry za minoritní
    • z příměsového prvku se ve struktuře krystalu polovodiče stávají kladné nepohyblivé ionty, nazýváme je donory
    • polovodiče typu N
  • Děrová vodivost – např. Si s příměsí B
    • B má 3 val. el., tím při plném obsazení vazeb se sousedními atomy Si chybí jeden valenční elektron, vzniká díra a to bez vzniku volného elektronu
    • díry jsou většinovými (majoritními) nosiči náboje a příměsi se třemi valenčními elektrony tvoří ve struktuře krystalu nepohyblivé záporné ionty zvané akceptory

 

Diodový jev a jeho technické využití

  • Propustný směr je vyznačen hrotem trojúhelníku
  • A▷│K—-
    • A ….. anoda
    • K ….. katoda

 

Polovodičová dioda

  • Dioda – polovodičový prvek se dvěma elektrodami
  • úkolem v elektrickém obvodu je propouštět elektrický proud jen jedním směrem
  • Obsahuje přechod PN
  • Přechod PN – rozhraní polovodiče typu P a typu N.
  • V místě styku obou polovodičů dojde k difúzi děr z polovodiče typu P do N a elektronů z polovodiče typu N do P (tzv. hradlová vrstva). V oblasti přechodu nejsou žádné volné elektricky nabité částice a přechod má velký el. odpor.

 

Polovodič s přechodem PN v obvodu stejnosměrného proudu

1. Bez zdroje napětí:

  • V oblasti styku polovodičů se část e z oblasti N dostane do P a část děr z oblasti P přejde do N. Rekombinace volných e s děrami – kolem přechodu PN se vytvoří nevodivá oblast bez volných nábojů (šedá barva)

2. Závěrný směr:

  • Připojením záporného pólu k polovodiči P a kladného pólu k polovodiči N vzdalují se působením el. sil volné náboje od přechodu PN. Oblast bez volných nábojů se rozšíří a odpor vzroste – el. proud přechodem PN neprochází. Nevodivé oblasti bez volných nábojů = hradlová vrstva.

3. Propustný směr:

  • Změnou polarity zdroje, přecházejí působením elektrických sil volné e přes přechod PN ke kladnému pólu a díry jsou přitahovány k zápornému pólu. Výsledkem je zúžení hradlové vrstvy a zmenšení jejího odporu. Takto zapojeným přechodem PN proud prochází.

 

Voltampérová charakteristika diody

  • v propustném směru indexujeme veličiny písmenem F, v závěrném R
  • v propustném směru (I. kvadrant) je zpočátku proud velmi malý a teprve po dosažení určitého prahového napětí UP se začíná prudce zvětšovat
  • proud v závěrném směru (III. kvadrant) je zanedbatelně malý a napětí na diodě nesmí překročít průrazné napětí UBR, jeho překročení má za následek zničení diody
  • u tzv. stabilizačních (Zenerových) diod je přechod PN vyroben tak, že dioda může pracovat i po překročení určitého napětí v závěrném směru, Zenerovo napětí, po překroční tohoto napětí může diodou procházet trvale proud i v závěrném směru

 

Tranzistorový jev a jeho technické využití

  • Tranzistor – polovodičová součástka se třemi elektrodami – emitorem E, bází B a kolektorem
  • Základní vlastností tranzistoru je schopnost zesilovat malé změny napětí nebo proudu na vstupu mohou vyvolat velké změny napětí nebo proudu na výstupu.
  • Tranzistor se vyrábí ve dvou modifikacích:
    • NPN
      • (E – polovodič typu N; B – vrstva polovodiče P; C – polovodič N)
      • NPN šipka ven
    • PNP
      • (E – polovodič typu P; B – vrstva polovodiče N; C – polovodič P

 

Polovodičová technika

  • Analogová
    • Usměrňovač
    • Operační zesilovač
    • Rádio
    • Televize
  • Číslicová (Digitální)
    • Počítač
    • Řídící jednotky strojů a automobilů

 

Integrované obvody

  • Integrovaný obvod (IO) – moderní elektronická součástka, vznikla spojením (integrací) mnoha jednoduchých el. součástek, které společně tvoří elektrický obvod vykonávající složitější funkci.
  • V křemíkové destičce malého rozměru, tzv. čipu, je vytvořen celý funkční elektronický systém, který obsahuje mnoho tranzistorů, diod, rezistorů a dalších součástek.
  • Analogové – zpracování spojitých (analogových) signálů (signály, které se s časem mění – zvukový, teplota)
  • Digitální – signál tvořen sledem impulsů napětí, které se mění skokem mezi logickou nulou a logickou jedničkou.
    • Signál se zpracovává logickými operacemi, v nichž proměnná veličina nabývá jen dvou hodnot.
  • K nejdokonalejším integrovaným obvodům číslicové techniky patří mikroprocesor = integrovaný obvod, jehož logické operace lze programovat


Další podobné materiály na webu: